Gate серии DT изготовлены по технологии AGM. Обладают низким внутренним сопротивлением и саморазрядом. Оптимизированы для работы в режиме постоянного подзаряда (буферный режим).Особенности: Корпус выполнен из пластика, не поддерживающего горение. Система внутренней рекомбинации газа, не требует долива воды. Эксплуатация допустима в любом положении, кроме перевернутого верх дном. Легированные кальцием свинцовые пластины обеспечивают высокую плотность энергии.
Назначение: Для ИБПНапряжение питания, Вт: 4Емкость аккумуляторов, Ач: 4,5Стандарты и сертификаты: Декларация о соответствии ГОСТ 12.2.007.12-88 ; ГОСТ Р МЭК 61056-1-2012 Пп. 4.1.2 – 4.1.4, 4.4, 5.4, 5.7 – 5.10; ГОСТ Р МЭК 60896-22-2015 П. п.4.2,4.3,4.4Срок службы В буферном режиме: 5 лет (при 25°С)
В циклическом режиме: 1000 циклов при 30% глубине разряда
Количество циклов заряда-разряда в циклическом режиме при 100% разряде: 240Саморазряд: 3% в месяц при 20°СМетод заряда: Заряд постоянным напряжением (25°С)
Циклический режим: 2,4 - 2,5 В/эл
Буферный режим: 2,27 - 2,3 В/эл
Материал корпуса: ABS пластик
Температурные режимы Хранение: от -15°С до +
50°СЗаряд: от -10°С до +
50°СРазряд: от -20°С до +
50°СГарантия: 12 месяцев при соблюдении условий эксплуатации
Тип клемм: F1Максимальный разрядный ток (25°С): 65A(5c)
Высота c клеммой, мм: 105Комплект поставки: Аккумулятор
Размеры, мм: 70x47x101Вес, кг: 0,52