Высокопроизводительный повышающий модуль с коммутируемым током 4А. В этом модуле используется микросхема XL6009E1 с технологией высокочастотной коммутации третьего поколения в качестве основного чипа, и его производитель...Подробнее
Высокопроизводительный повышающий модуль с коммутируемым током 4А. В этом модуле используется микросхема XL6009E1 с технологией высокочастотной коммутации третьего поколения в качестве основного чипа, и его производительность намного превосходит LM2577 технологии первого поколения. Бустерный модуль XL6009 имеет меньшую стоимость и лучшую производительность, а модуль LM2577 скоро будет снят с производства. Сверхширокое входное напряжение 3В~32В, диапазон рабочего напряжения 5~32В; Сверхширокое выходное напряжение 5В~35В; Встроенный высокоэффективный MOSFET-переключатель на 4А, обеспечивающий КПД до 94% (ток LM2577 составляет всего 3А). Сверхвысокая частота переключения составляет 400к Гц, что позволяет достичь очень хороших результатов с фильтрующими конденсаторами малой емкости, с меньшей пульсацией и меньшим объемом. (частота LM2577 всего 50 к Гц) Свойства модуля: неизолированный повышающий (BOOST) Метод выпрямления: Асинхронное выпрямление. Входной диапазон: 3В~32ВВыходной диапазон: 5В~35ВВходной ток: 4A (максимум) Эффективность преобразования:
