Gate серии DT изготовлены по технологии AGM. Обладают низким внутренним сопротивлением и саморазрядом. Оптимизированы для работы в режиме постоянного подзаряда (буферный режим). Особенности: Корпус выполнен из пластика, не поддерживающего горение. Система внутренней рекомбинации газа, не требует долива воды. Эксплуатация допустима в любом положении, кроме перевернутого верх дном. Легированные кальцием свинцовые пластины обеспечивают высокую плотность энергии. Назначение: Для ИБП Напряжение, В: 6 Емкость аккумулятора, Ач: 1,2 Стандарты и сертификаты: Декларация о соответствии ГОСТ 12.2.007.12-88 ; ГОСТ Р МЭК 61056-1-2012 Пп. 4.1.2 – 4.1.4, 4.4, 5.4, 5.7 – 5.10; ГОСТ Р МЭК 60896-22-2015 П.п.4.2,4.3,4.4 Срок службы В буферном режиме: 5 лет (при 25°С) В циклическом режиме: 1000 циклов при 30% глубине разряда Количество циклов заряда-разряда в циклическом режиме при 100% разряде: 240 Саморазряд: 3% в месяц при 20°С Метод заряда: Заряд постоянным напряжением (25°С) Циклический режим: 2,4 - 2,5 В/эл Буферный режим: 2,27 - 2,3 В/эл Внутреннее сопротивление полностью заряженной батареи (25°С), м
Ом: 75 Материал корпуса: ABS пластик Температурные режимы Хранение: от -15°С до +50°С Заряд: от -10°С до +50°С Разряд: от -20°С до +50°С Гарантия: 12 месяцев при соблюдении условий эксплуатации Тип клемм: F1 Максимальный разрядный ток (25°С): 17A(5c) Высота c клеммой, мм: 58 Комплект поставки: Аккумулятор Размеры, мм: 97x24x52 Вес, кг: 0,27