Gate серии DT изготовлены по технологии AGM. Обладают низким внутренним сопротивлением и саморазрядом. Оптимизированы для работы в режиме постоянного подзаряда (буферный режим).
Особенности: Корпус выполнен из пластика, не поддерживающего горение. Система внутренней рекомбинации газа, не требует долива воды. Эксплуатация допустима в любом положении, кроме перевернутого верх дном. Легированные кальцием свинцовые пластины обеспечивают высокую плотность энергии.
Назначение: Для ИБП
Напряжение, В: 6
Емкость аккумулятора, Ач: 4,5
Стандарты и сертификаты: Декларация о соответствии ГОСТ 12.2.007.12-88 ; ГОСТ Р МЭК 61056-1-2012 Пп. 4.1.2 – 4.1.4, 4.4, 5.4, 5.7 – 5.10; ГОСТ Р МЭК 60896-22-2015 П.п.4.2,4.3,4.4
Срок службы
В буферном режиме: 5 лет (при 25°С)
В циклическом режиме: 1000 циклов при 30% глубине разряда
Количество циклов заряда-разряда в циклическом режиме при 100% разряде: 240
Саморазряд: 3% в месяц при 20°С
Метод заряда: Заряд постоянным напряжением (25°С)
Циклический режим: 2,4 - 2,5 В/эл
Буферный режим: 2,27 - 2,3 В/эл
Внутреннее сопротивление полностью заряженной батареи (25°С), м
Ом: 40
Материал корпуса: ABS пластик
Температурные режимы
Хранение: от -15°С до +50°С
Заряд: от -10°С до +50°С
Разряд: от -20°С до +50°С
Гарантия: 12 месяцев при соблюдении условий эксплуатации
Тип клемм: F1
Максимальный разрядный ток (25°С): 75A(5c)
Высота c клеммой, мм: 107
Комплект поставки: Аккумулятор
Размеры, мм: 70x47x101
Вес, кг: 0,7