Разместить товар+
Москва
Описание

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-хим...Подробнее

1 323 ₽
2 024 ₽
Продавец:Партнер Raddy
Вес
0.769
Возрастное ограничение
16+
Год издания
2018
Жанр
физика; химия
Описание
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Основные характеристики
Производитель
Техносфера
Сер. номер
100024864637
Дополнительные характеристики
Вес
0.769
Возрастное ограничение
16+
Год издания
2018
Жанр
физика; химия
Издательство
Техносфера
Количество страниц
488
Количество книг
1
Тип обложки
твердая
Оформление обложки
интегральный переплет
Формат
17.0 x 25.0 x 2
Автор
Акчурин Рауф Хамзинович
Сравнение цен