Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN.
Является прямозонным полупроводником с шириной запрещённой зоны 3.39 эВ при 300 K.Широко используется для создания светодиодов, полупроводниковых лазеров, сверхвысокочастотных (СВЧ) транзисторов.
Нитрид галлия является перспективным материалом для создания высокочастотных, теплостойких и мощных полупроводниковых приборов. Большая ширина запрещённой зоны означает, что работоспособность транзисторов из нитрида галлия сохраняется при более высоких температурах, по сравнению с кремниевыми транзисторами. Транзисторы из нитрида галлия могут сохранять работоспособность при более высоких температурах и напряжениях, поэтому данный материал становится всё более привлекательным для создания приборов, применяемых в СВЧ усилителях мощности. Важными преимуществами транзисторов на основе этого полупроводника являются быстродействие и возможность работы при сильном напряжении и высокая надежность. Перспективным направлением использованием нитрида галлия является военная электроника, в частности, твердотельные приёмопередающие модули активной фазированной антенной решётки (афар) на основе GaN.
Нитрид галлия является одним из самых востребованных и перспективных материалов современной электроники.
Время полной зарядки 4 аккумуляторов 150 минут
Температура зарядки: 7-40 градусов Цельсия
Два режима зарядки - полной зарядки и зарядки для хранения.
Вход: 110–240 В, 50/60Гц
Выход: 17,6 В/2,0 А (максимально)*4Выход USB-порта: 5 В/3 АТип вилки: европейская
Цвет: серый
Материал: пластик
Содержимое упаковки: 1 зарядное устройство1 кабель питания