Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 HMA851S6DJR6N-VK

Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Количество чипов каждого модуля 4, односторонняя упаковка Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 1