Оперативная память Hynix 4 ГБ DDR3 1600 МГц DIMM CL11 HMT451U6AFR8C-PB

Подробные характеристики Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Дополнительно Количество чипов каждого модуля 8, односторонняя упаковка Напряжение питания 1.5 В Количество ранков 1