Тип памятиDDR4Форм-факторDIMM 288-контактный
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 МБ/с
Объем1 модуль 32 ГБПоддержка ECCесть
Поддержка XMPнет
Буферизованная (Registered)
да
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
ТаймингиCAS Latency (CL)
19RAS to CAS Delay (tRCD)
19Row Precharge Delay (tRP)
19Дополнительно
Напряжение питанияВКоличество ранков2