Оперативная память Qumo 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 QUM4S-8G2666P19

Activate to Precharge Delay (tRAS) - CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.04 GTD Number 10005030/230822/3225273 GTIN 04895230600887 Cтрана-производитель китай Партномер QUM4S-8G2666P19 RAS to CAS Delay (tRCD) - Row Precharge Delay (tRP) - Вес (грамм) - Высота (мм) - высота(см) 1 Габариты (мм) - гарантия 2 года длина(см) 7 Дополнительная информация - Количество контактов 260 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Количество чипов на модуле - Компоновка чипов на модуле Двусторонняя Линейка - масса(кг) 0.04 Модель QUM4S-8G2666P19 Напряжение (В) 1.2 Низкопрофильная Нет Нормальная операционная температура (Tcase) - Общий объем памяти (ГБ) 8 Объем одного модуля (ГБ) 8 Описание Оперативная память QUM4S-8G2666P19 от QUMO Поддержка ECC Нет Поддержка Reg Нет Поддержка водяного охлаждения Нет Подсветка Нет Потребление энергии - Производитель Qumo Пропускная способность (МБ/с) 19200 Радиатор Нет Расширенная операционная температура (Tcase) - Тайминги 19 Тип модуля SO-DIMM Тип оборудования Оперативная память Цвет разноцветный Частота (MHz) DDR4 - 2666 Чип 1Gb x 8-bit ширина(см) 4 . adpar_property_list { width: 100%; margin: 0px 0px 0px; color:#555; } . adpar_property_list td { vertical-align: bottom; font-size: 13px; vertical-align: top;…