Оперативная память Samsung 8 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A1K43CB1-CTD00

Стандарт: DDR4Форм-фактор: SODIMMОбъем одного модуля: 8 ГБКоличество модулей в комплекте: 1 шт
Суммарный объем: 8 ГБЭффективная частота: 2666 МГц
Пропускная способность: 21300 Мб/с
Поддержка ECC: Нет
Буферизованная (регистровая): Нет
Низкопрофильная: Нет
Количество контактов: 260CAS Latency (CL): 19Напряжение питания (В): 1.2 ВНормальная операционная температура (Tcase): 85 °CРасширенная операционная температура (Tcase): 95 °CРадиатор: НетRAS to CAS Delay (tRCD): 19Row Precharge Delay (tRP): 19Количество чипов на модуле: 8 шт
Компоновка чипов на модуле: Двусторонняя
Артикул производителя (Part Number): M471A1K43CB1-CTD