Оперативная память Kingston 4 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 KVR16S11/4

Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Дополнительно Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.5 В Количество ранков 2