Москва
Каталог
Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1600 МГц DIMM CL11 M378B5173EB0-YK0
Описание
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет...Подробнее
1 890 ₽
Продавец:Я Маркет
Описание
Тип памяти DDR3L Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 11 Напряжение питания 1.35 В
Основные характеристики
Производитель
Samsung
Сер. номер
476916150
Другие товары этой категории
3 690 ₽
Оперативная память Hynix DDR3 8Гб 1600 mhz 1.5V SODIMM для ноутбука 1x8 ГБ (HMT41GS6AFR8A-PB)6 000 ₽
Модуль оперативной памяти Patriot Memory PSD21G80081 DDR2, 1 Гб, DIMM 240-pin, 800 МГц, 6400 Мб/с, 1 * 1 Гб CL5