Линейка Value RAMСтандарт DDR3Форм-фактор DIMMОбъем одного модуля 4 ГБКоличество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБЭффективная частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8 шт Количество контактов 240Тайминги CAS Latency (CL) 11RAS to CAS Delay (tRCD) 11Row Precharge Delay (tRP) 11Activate to Precharge Delay (tRAS) 30Дополнительные характеристики Напряжение питания 1.35 ВМаксимальная выделяемая мощность 2.16 Вт Нормальная операционная температура (Tcase) 85 CРасширенная операционная температура (Tcase) 95 CКомпоновка чипов на модуле Односторонняя Вид поставки Blister Pack/Street Retail Линейка Value RAMСтандарт DDR3Форм-фактор DIMMОбъем одного модуля 4 ГБКоличество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБЭффективная частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8 шт Количество контактов 240Тайминги CAS Latency (CL) 11RAS to CAS Delay (tRCD) 11Row Precharge Delay (tRP) 11Activate to Precharge Delay (tRAS) 30Габариты 133.35 x 30 мм
