Ранг памяти: двухранговая.
Тип памяти: DDR3 Registered.
Ранги: 2R x 4.Напряжение питания: 1.5 V / 1.35 V.Тактовая частота работы: 1333 МГц.
Пропускная способность: 10600 МБ/с.CAS-латентность: CL9.Схема таймингов памяти: 9-9-9.Поддержка буферизации (Registered).Поддержка ECC.