Оперативная память Samsung 16 ГБ DDR4 2666 МГц SODIMM CL19 M471A2K43CB1-CTD

Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 Activate to Precharge Delay (tRAS) 32 Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.2 В Количество ранков 2 Срок службы 12 мес. Гарантийный срок 1 мес.