Оперативная память Samsung 4 ГБ DDR3L 1333 МГц DIMM CL9 M393B5270CH0-YH9Q4

Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Напряжение питания 1.5 В Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Напряжение питания 1.5 В