Разместить товар+
Москва
Описание

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 Вт Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: ...Подробнее

105 ₽
Продавец:Партнер Raddy
Тип
полевой с управляющим PN-переходом (JFETs)
Описание
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 Вт
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 AПредельная температура p-n перехода (Tj): 150 CГраничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 250 MHzмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
Основные характеристики
Производитель
NoBrand
Сер. номер
100041437067
Дополнительные характеристики
Тип
полевой с управляющим PN-переходом (JFETs)
Сравнение цен