Структура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 Вт
Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 AПредельная температура p-n перехода (Tj): 150 CГраничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 250 MHzмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF