Краткие характеристики: Транзистор IGBTnpn 1600V 60A@
25℃ 263W Vce=
1.85V@)
Ic=
30A Vge=
4.5-5.8V 1500pFОсобенности• VCE = 1600 В• IC = 30А@
100℃• Мощный монолитный диод в корпусе с низким прямым напряжением• Очень точное распределение параметров• Высокая прочность и температурная стабильность• Низкий Vce(sat)• * Возможность простого параллельного переключения благодаря положительному температурному коэффициенту в Vce(sat)• Низкий уровень электромагнитных помех• Свинцовое покрытие без Pb; соответствует требованиям RoHS; не содержит галогенов (согласно IEC 61249-2-21)
Возможные области применения• Индукционная варочная панель• Микроволновые печи