Транзистор MOSFET FQPF8N60C

Характеристики: Полярность транзистора: NКоличество каналов: 1Напряжение пробоя сток-исток: 600 VНепрерывный ток утечки: 7.5 AСопротивление сток-исток: 1.2 Ohms
Напряжение затвор-исток: 30 VРабочая температура: -55C.+
150CКонфигурация: Single
Рассеивание мощности: 48ВКанальный режим: Enhancement
Тип транзистора: 1 N-Channel
Крутизна характеристики прямой передачи - мин: 8.7 SВремя спада: 64.5 ns
Время нарастания: 60.5 ns
Типичное время задержки выключения: 81 ns
Типичное время задержки при включении: 16.5 ns
Корпус: TO-220F