Краткие характеристики: Транзистор MOSFETpnp -30V -10A 1.4W Rds=
0.02Ω 1700pFВ этих транзисторах MOSFET используется передовая технология trench technology. MOSFET-транзисторы обеспечивают превосходный RDS (ON) и низкий уровень заряда затвора. MOSFET-транзисторы могут использоваться в инверторах и других устройствах.