Описание
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.9 Вт
Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 500 ВПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 400 ВПредельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 AПредельная температура p-n перехода (Tj): 150 CГраничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 8 МГц
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): пФСтатический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 10 10 штук в комплекте.
Основные характеристики
Дополнительные характеристики
