Описание
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si
Структура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.5 AПредельная температура p-n перехода (Tj): 150 CГраничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pFСтатический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 120
Основные характеристики
Дополнительные характеристики
