Транзисторы 2Т312В - универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n структуры, предназначенные для работы в переключающих устройствах, усилителях и генераторах электронной аппаратуры специального назначения. Они ...Подробнее
Транзисторы 2Т312В - универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n структуры, предназначенные для работы в переключающих устройствах, усилителях и генераторах электронной аппаратуры специального назначения. Они выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами и маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Транзисторы 2Т312В имеют массу не более 1,0 г и тип корпуса КТЮ-3-1. Климатическое исполнение - «УХЛ». Транзисторы 2Т312В доступны в категории качества ВП и ОС. Основные технические характеристики транзистора 2Т312В: структура n-p-n, постоянная рассеиваемая мощность коллектора - 225 м Вт, граничная частота коэффициента передачи тока - не менее 120 МГц, максимальное напряжение коллектор-база - 30 В, максимальное напряжение эмиттер-база - 4 В, максимально допустимый постоянный ток коллектора - 30 мА, обратный ток коллектора - не более 1 мкА при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала - 50.250, емкость коллекторного перехода - не более 5 пФ, сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером - не более 40 Ом, постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте - не более 500 пс. Зарубежный аналог транзисторов 2Т312В - 2N3708.
