IRF510N транзистор (2 шт.) TO-220AB схема, аналог IRF510PBF характеристики цоколевка datasheet MOSFET ТО-220

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF510N транзистор (2 шт.) TO-220AB схема, аналог IRF510PBF характеристики цоколевка datasheet MOSFET ТО-220 Наименование прибора: IRF510 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.6 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 8.3(max) nC Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 81 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.54 Ohm Тип корпуса: TO220AB Замены транзистора IRF510 КП510 КП743А 2SK2399 PHP6N10E RFP2N08 RFP2N08 RFP2N08L RFP2N08L RFP2N10 RFP2N10 RFP2N10L RFP2N10L RFP6P08 RFP6P08 RFP6P10 RFP6P10 STP7NE10 IRF510 MOSFETs IRF510 MOSFETs 2SK2399 2SK2399 IRFW510A IRFI510A