IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного....Подробнее
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным биполярным. В результате переключение мощной нагрузки становиться возможным при малой мощности, так как управляющий сигнал поступает на затвор полевого транзистора.GT50JR22 IGBT транзисторы компании Toshiba используются для индукционных печей и силовых инверторов. Рассчитаны на рабочее напряжение до 600 В. и ток до 50 А, интегрируют в одном корпусе IGBT-транзистор и обратный диод. Оптимизированы для применения в индукционных печах и в силовых инверторах. Данные IGBT-транзисторы отличаются высокой допустимой температурой перехода: до 175°C. Значение максимально допустимого постоянного тока 50 А, типовое значение напряжения насыщения при токе 50 А. составляет 1.65 вольт для GT50JR22. Типовое значение времени включения / выключения при токе коллектора 50 А составляет 0.25 мкс / 0.37 мкс. GT50JR22 ориентированы на применение в устройствах с высокой частотой коммутации. Допустимая рассеиваемая мощность транзисторов составляет 230 Вт.
