Фото НЕ из интернета!
Архитектура: биполярный транзистор
Проводимость: n-p-n
Мощность рассеивания (Pc): 150 WНапряжение Collector-Base |Vcb|: 250 VНапряжение Collector-Emitter |Vce|: 250 VМакс. ток коллектора|Ic max|: 15 AЧастота(ft): 30 MHz
Емкость коллектора (Cc): 400 pF