Фото НЕ из интернетаАрхитектура: транзистор MOSFETПроводимость: n-p-nМощность рассеивания: 35WНапряжение Сток-Исток: 600VТок нагрузки: 10AСопротивление открытого канала: 0.75ΩВходная емкость: 1375pFПодробная информация