Zr, NbN и в одиночном гетеропереходе Al
GaAs/Ga
As. Дан обзор современных приёмников миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн, а также обзор работ, посвященных исследованию явления электронного разогрева. Приведено описание HEB-смесителей на основе тонких пленок NbN, Nb
Zr и на основе 2DEG гетероструктуры Al
GaAs/Ga
As. Рассматривается методический аспект проведенных экспериментов с описанием используемых экспериментальных установок. Представлены результаты исследований частотных характеристик HEB смесителей на основе плёнок NbN и микромостиков Nb
Zr, нанесенных на подложки из сапфира..