Разместить товар+
Москва
Описание

Объем: 1 ТБ, Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC, Максимальная скорость чтения до: 7450 МБ/сек, Максимальная скорость записи до: 6900 МБ/сек, Интерфейс подключения: PCI-Express, Форм-фактор: M.2 Type 2280 M key...Подробнее

13 270 ₽
Продавец:МВидео
Максимальная скорость записи до
6900
Тип флеш-памяти
V-NAND 3bit MLC
Страна
Китай
Глубина
2.3
Описание
Объем: 1 ТБ,

Тип флеш-памяти: V-NAND 3bit MLC,

Максимальная скорость чтения до: 7450 МБ/сек,

Максимальная скорость записи до: 6900 МБ/сек,

Интерфейс подключения: PCI-Express,

Форм-фактор: M.2 Type 2280 M key

Основные характеристики
Производитель
Samsung
Сер. номер
4220634
Доставка
Есть
Дополнительные характеристики
Максимальная скорость записи до
6900
Тип флеш-памяти
V-NAND 3bit MLC
Страна
Китай
Глубина
2.3
Форм-фактор
M.2 Type 2280 M key
Интерфейс подключения
PCI-Express
Поддержка ОС
любые
Количество в комплекте
1
Ширина
22
Серия
990
Объем
1
Максимальная скорость чтения до
7450
Высота
80
Гарантия предоставляется
производителем
Модель
Samsung MZ-V9P1T0BW
Габаритные размеры (В*Ш*Г)
80*22*2.3 мм
Сравнение цен