Write) достигает 520 МБ/с*. Скорость последовательного чтения достигает 550 МБ/с. Размер буфера Turbo
Write* для увеличения скорости передачи файлов увеличен с 12 ГБ до 78 ГБ. Улучшенная надежность Храните и обрабатывайте 4K видео и 3D данные с помощью новейших программ и не беспокойтесь о сохранности данных. Ресурс накопителя по записи (TBW*) в 8 раз превышает аналогичную характеристику предыдущей модели накопителя - 850 PRO SSD. Технология V-NAND обеспечивает рабочий ресурс до 2400 TBW Smart совместимость Оцените преимущества увеличения скорости коммуникации SSD с вашей хост системой. Отлаженный ECC* алгоритм и новый MJX контроллер обладают более высокой скоростью работы, а более эффективно работающая команда queued trim обеспечивает улучшенную совместимость с ОС Linux. Наши усовершенствованные технологии обеспечивают улучшенную совместимость накопителя 860 EVO с вашей компьютерной системой. Техническое описание
Емкость: 500 ГБФорм-фактор: M.2 2280Интерфейс: SATA 6 Гбит/c интерфейс, совместимый с SATA 3 Гбит/c и SATA 1,5 Гбит/c интерфейсами
Размеры (Шx
ВxГ): Макс. 80.15 x Макс. 22.15 x Макс. 2.38 (мм)
Вес (г.): Макс. 8 г.Тип NAND: Samsung V-NAND 3bit MLC (3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку)
Контроллер: MJX контроллер Samsung
Буферная память: Samsung 512 MB Low Power DDR4 SDRAMОсобенности: Поддержка TRIM, Поддержка S.M.A.R.T, GC (сборка мусора), Поддержка шифрования, Поддержка WWN Последовательное чтение: до 550 MБ/с * Последовательная запись: до 520 MБ/с *Случайное чтение (4 КБ, QD32): до 97 000 операций/сек. *Случайная запись (4 КБ, QD32): до 88 000 операций/сек. *Случайное чтение (4KB, QD1): до 10 000 операций/сек. *Случайная запись (4KB, QD1): до 42 000 операций/сек. *Надежность (MTBF): 1.5 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)
Устойчивость к ударам: 1500 G в течение 0.5 мс (полусинус)* Характеристика может зависеть от конфигурации системы
Комплектация
Внутренний накопитель
Руководство пользователя