500-гигабайтный SSD M.2 накопитель Samsung 860 EVO [MZ-N6E500BW] выпускается корпорацией Samsung, высочайшее качество продукции которой общеизвестно. Модель соответствует форм-фактору 2280. Используемые ключи M.2 – B и...Подробнее
500-гигабайтный SSD M.2 накопитель Samsung 860 EVO [MZ-N6E500BW] выпускается корпорацией Samsung, высочайшее качество продукции которой общеизвестно. Модель соответствует форм-фактору 2280. Используемые ключи M.2 – B и M. Накопитель использует интерфейс SATA 3. SSD M.2 накопитель Samsung 860 EVO [MZ-N6E500BW] развивает скорость чтения, достигающую 550 МБ/с. Максимальная скорость записи чуть ниже – 520 МБ/с. Поддержка технологии TRIM помогает обеспечить нужный уровень обработки данных по прошествии значительного времени с момента начала эксплуатации накопителя. Управление накопителем осуществляет контроллер Samsung MJX. Применяемые чипы памяти – TLC 3D V-NAND. Ресурс накопителя типичен для SSD-устройств такого объема: величина этого показателя составляет 300 TBW. О высоком уровне надежности модели «сообщает» показатель MTBF, составляющий 1.5 миллиона часов. Ударостойкость накопителя – 1500 G (в течение 0.5 мс). Одним из преимуществ накопителя является невысокое (лишь 2.4 Вт) энергопотребление. Заводские данные Гарантия36 мес. Страна-производитель Корея, республика Общие параметры Модель Samsung 860 EVOКод производителя[MZ-N6E500BW]Год релиза2018Серверный нет Основные характеристики Объем накопителя 500 ГБФорм-фактор2280Физический интерфейс SATA 3Ключ M.2 разъема B & MNVMe нет Конфигурация накопителя Контроллер Samsung MJXТип чипов памятиNANDКоличество бит на ячейку 3 бит MLC (TLC) Структура памяти 3D NANDБуферная память 512 МБИнтерфейс NAND памяти V-NANDКомпоновка чипов памяти односторонняя Показатели скорости Максимальная скорость последовательной записи 520 Мбайт/сек Максимальная скорость последовательного чтения 550 Мбайт/сек Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 88000 IOPSЧтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 97000 IOPSЗапись случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 42000 IOPSЧтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 10000 IOPSПропускная способность интерфейса 6 Гбит/с Надежность Максимальный ресурс записи (TBW) 300 ТБМаксимальная перегрузка (ударостойкость) 1500 G (0.5 мс) Дополнительная информация Поддержка команды TRIM есть Шифрование данных есть Энергопотребление 2.4 Вт Адаптер PCI-E - M.2 в комплекте нет Особенности, дополнительноподдержка S.M.A.R.T , поддержка WWN , технология Garbage Collection Габариты Длина80 мм Ширина22 мм Толщина2.38 мм Вес8 г
